TK10A80W,S4X

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Parte di u fabricatore	TK10A80W,S4X
U fabricatore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	TK10A80W,S4X PDF

A dispunibilità

In magazinu	1867000
Prezzu Unitu	$ 2.52440

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TK10A80W,S4X Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	DTMOSIV
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	800 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	9.5A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	550mOhm @ 4.8A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 450µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	1150 pF @ 300 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	40W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	150°C
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-220SIS
pacchettu / casu:	TO-220-3 Full Pack

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