IPB016N06L3GATMA1

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Parte di u fabricatore	IPB016N06L3GATMA1
U fabricatore	IR (Infineon Technologies)
Descrizzione	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	IPB016N06L3GATMA1 PDF

A dispunibilità

In magazinu	1866790
Prezzu Unitu	$ 3.47000

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IPB016N06L3GATMA1 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	OptiMOS™
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	60 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	180A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.2V @ 196µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	166 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	28000 pF @ 30 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	250W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	PG-TO263-7
pacchettu / casu:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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