R6009KNJTL

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Parte di u fabricatore	R6009KNJTL
U fabricatore	ROHM Semiconductor
Descrizzione	MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	R6009KNJTL PDF

A dispunibilità

In magazinu	463
Prezzu Unitu	$ 1.78000

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R6009KNJTL Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	600 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	9A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	5V @ 1mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	16.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	540 pF @ 25 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	94W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	LPTS
pacchettu / casu:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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