TW070J120B,S1Q

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Parte di u fabricatore	TW070J120B,S1Q
U fabricatore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	273
Prezzu Unitu	$ 33.97000

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TW070J120B,S1Q Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	*
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	1200 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	36A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	20V
rds on (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 18A, 20V
vgs (th) (max) @ id:	5.8V @ 20mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	67 nC @ 20 V
vgs (max):	±25V, -10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	1680 pF @ 800 V
funzione fet:	Standard
dissipazione di putenza (max):	272W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-3P(N)
pacchettu / casu:	TO-3P-3, SC-65-3

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