R6006JNJGTL

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Parte di u fabricatore	R6006JNJGTL
U fabricatore	ROHM Semiconductor
Descrizzione	MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	1098
Prezzu Unitu	$ 2.41000

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R6006JNJGTL Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	600 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	6A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	15V
rds on (max) @ id, vgs:	936mOhm @ 3A, 15V
vgs (th) (max) @ id:	7V @ 800µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	15.5 nC @ 15 V
vgs (max):	±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	410 pF @ 100 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	86W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	LPTS
pacchettu / casu:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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