SI8413DB-T1-E1

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Parte di u fabricatore	SI8413DB-T1-E1
U fabricatore	Vishay / Siliconix
Descrizzione	MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	SI8413DB-T1-E1 PDF

A dispunibilità

In magazinu	2900
Prezzu Unitu	$ 1.45000

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SI8413DB-T1-E1 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	TrenchFET®
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	P-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	20 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	4.8A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	48mOhm @ 1A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1.4V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	-
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	1.47W (Ta)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	4-Microfoot
pacchettu / casu:	4-XFBGA, CSPBGA

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