IPB80N06S407ATMA2

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Parte di u fabricatore	IPB80N06S407ATMA2
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3-2
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	IPB80N06S407ATMA2 PDF

A dispunibilità

In magazinu	717
Prezzu Unitu	$ 0.58000

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IPB80N06S407ATMA2 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	60 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	80A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 40µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	4.5 pF @ 25 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	79W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	PG-TO263-3-2
pacchettu / casu:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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