IRLR3410PBF

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Parte di u fabricatore	IRLR3410PBF
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	HEXFET POWER MOSFET
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	IRLR3410PBF PDF

A dispunibilità

In magazinu	310864
Prezzu Unitu	$ 0.29000

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IRLR3410PBF Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	HEXFET®
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	100 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	17A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	105mOhm @ 10A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 5 V
vgs (max):	±16V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	800 pF @ 25 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	79W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	D-Pak
pacchettu / casu:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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