NTMFS5832NLT1G

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Parte di u fabricatore	NTMFS5832NLT1G
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	MOSFET N-CH 40V 20A/111A 5DFN
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NTMFS5832NLT1G PDF

A dispunibilità

In magazinu	236
Prezzu Unitu	$ 1.02000

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NTMFS5832NLT1G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	40 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	20A (Ta), 111A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	51 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	2700 pF @ 25 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	3.1W (Ta), 96W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchettu / casu:	8-PowerTDFN, 5 Leads

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