NTLJF3118NTBG

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Parte di u fabricatore	NTLJF3118NTBG
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NTLJF3118NTBG PDF

A dispunibilità

In magazinu	27000
Prezzu Unitu	$ 0.27000

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NTLJF3118NTBG Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	20 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	2.6A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 3.8A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	3.7 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	271 pF @ 10 V
funzione fet:	Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di putenza (max):	700mW (Ta)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	6-WDFN (2x2)
pacchettu / casu:	6-WDFN Exposed Pad

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