SCTWA50N120

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Parte di u fabricatore	SCTWA50N120
U fabricatore	STMicroelectronics
Descrizzione	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	SCTWA50N120 PDF

A dispunibilità

In magazinu	1240
Prezzu Unitu	$ 29.63000

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SCTWA50N120 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	1200 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	65A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	20V
rds on (max) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
vgs (th) (max) @ id:	3V @ 1mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	122 nC @ 20 V
vgs (max):	+25V, -10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 400 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	318W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 200°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	HiP247™
pacchettu / casu:	TO-247-3

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