IPI120N08S403AKSA1

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Parte di u fabricatore	IPI120N08S403AKSA1
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3-1
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	IPI120N08S403AKSA1 PDF

A dispunibilità

In magazinu	7000
Prezzu Unitu	$ 2.12000

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IPI120N08S403AKSA1 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	80 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	120A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 223µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	167 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	11.55 pF @ 25 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	278W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	PG-TO262-3-1
pacchettu / casu:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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