SPA11N80C3XKSA2

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Parte di u fabricatore	SPA11N80C3XKSA2
U fabricatore	IR (Infineon Technologies)
Descrizzione	MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	SPA11N80C3XKSA2 PDF

A dispunibilità

In magazinu	430
Prezzu Unitu	$ 3.06000

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SPA11N80C3XKSA2 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	CoolMOS™
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	800 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	11A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 7.1A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3.9V @ 680µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	1600 pF @ 100 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	34W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	PG-TO220-3
pacchettu / casu:	TO-220-3 Isolated Tab

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