TRS16N65FB,S1Q

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Parte di u fabricatore	TRS16N65FB,S1Q
U fabricatore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione	SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	diodi - rettificatori - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	240
Prezzu Unitu	$ 6.26000

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TRS16N65FB,S1Q Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
cunfigurazione diodu:	1 Pair Common Cathode
tipu di diodu:	Silicon Carbide Schottky
voltage - DC inversa (vr) (max):	650 V
current - media rectificata (io) (per diode):	8A (DC)
tensione - avanti (vf) (max) @ if:	1.6 V @ 8 A
vitezza:	No Recovery Time > 500mA (Io)
tempu di ricuperazione inversa (trr):	0 ns
currente - fuga inversa @ vr:	40 µA @ 650 V
temperatura di funziunamentu - junction:	175°C
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	TO-247-3
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-247

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