EPC2108

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Parte di u fabricatore	EPC2108
U fabricatore	EPC
Descrizzione	GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	EPC2108 PDF

A dispunibilità

In magazinu	2586
Prezzu Unitu	$ 1.91000

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EPC2108 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	eGaN®
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
funzione fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
drain à a tensione di fonte (vdss):	60V, 100V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	1.7A, 500mA
rds on (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
putenza - max:	-
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	9-VFBGA
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	9-BGA (1.35x1.35)

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