IPG15N06S3L-45

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Parte di u fabricatore	IPG15N06S3L-45
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	IPG15N06S3L-45 PDF

A dispunibilità

In magazinu	19782
Prezzu Unitu	$ 0.24000

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IPG15N06S3L-45 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	OptiMOS™
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	2 N-Channel (Dual)
funzione fet:	Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):	55V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	15A
rds on (max) @ id, vgs:	45mOhm @ 10A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.2V @ 10µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	1420pF @ 25V
putenza - max:	21W
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	8-PowerVDFN
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	PG-TDSON-8-4

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