APTM120H29FG

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Parte di u fabricatore	APTM120H29FG
U fabricatore	Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione	MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	APTM120H29FG PDF

A dispunibilità

In magazinu	195873
Prezzu Unitu	$ 299.12000

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APTM120H29FG Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	POWER MOS 7®
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu fet:	4 N-Channel (H-Bridge)
funzione fet:	Standard
drain à a tensione di fonte (vdss):	1200V (1.2kV)
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	34A
rds on (max) @ id, vgs:	348mOhm @ 17A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	5V @ 5mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	374nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	10300pF @ 25V
putenza - max:	780W
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	SP6
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	SP6

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