RMD0A8P20ES9

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Parte di u fabricatore	RMD0A8P20ES9
U fabricatore	Rectron USA
Descrizzione	MOSFET 2 P-CH 20V 800MA SOT363
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	87053
Prezzu Unitu	$ 0.06000

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RMD0A8P20ES9 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 P-Channel (Dual)
funzione fet:	Standard
drain à a tensione di fonte (vdss):	20V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	800mA (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	1.8pC @ 4.5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	87pF @ 10V
putenza - max:	800mW (Ta)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	SOT-363

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