TSM200N03DPQ33 RGG

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Parte di u fabricatore	TSM200N03DPQ33 RGG
U fabricatore	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizzione	MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	TSM200N03DPQ33 RGG PDF

A dispunibilità

In magazinu	880
Prezzu Unitu	$ 0.61000

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TSM200N03DPQ33 RGG Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Dual)
funzione fet:	Standard
drain à a tensione di fonte (vdss):	30V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	20A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 10A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	4nC @ 4.5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	345pF @ 25V
putenza - max:	20W
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	8-PowerWDFN
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	8-PDFN (3x3)

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