EPC2100ENGRT

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Parte di u fabricatore	EPC2100ENGRT
U fabricatore	EPC
Descrizzione	GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	EPC2100ENGRT PDF

A dispunibilità

In magazinu	78312
Prezzu Unitu	$ 5.18320

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EPC2100ENGRT Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	eGaN®
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Half Bridge)
funzione fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
drain à a tensione di fonte (vdss):	30V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	10A (Ta), 40A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
putenza - max:	-
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	Die
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	Die

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