CSD86330Q3D

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Parte di u fabricatore	CSD86330Q3D
U fabricatore	Texas Instruments
Descrizzione	MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	5000
Prezzu Unitu	$ 2.01000

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CSD86330Q3D Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	NexFET™
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Half Bridge)
funzione fet:	Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):	25V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	20A
rds on (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 14A, 8V
vgs (th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	6.2nC @ 4.5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	920pF @ 12.5V
putenza - max:	6W
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	8-PowerLDFN
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	8-LSON (3.3x3.3)

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