SSM6N35FE,LM

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Parte di u fabricatore	SSM6N35FE,LM
U fabricatore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione	MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	SSM6N35FE,LM PDF

A dispunibilità

In magazinu	1609
Prezzu Unitu	$ 0.41000

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SSM6N35FE,LM Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Dual)
funzione fet:	Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):	20V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	180mA
rds on (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 50mA, 4V
vgs (th) (max) @ id:	1V @ 1mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	-
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	9.5pF @ 3V
putenza - max:	150mW
temperatura di funziunamentu:	150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	SOT-563, SOT-666
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	ES6 (1.6x1.6)

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