PMDPB58UPE,115

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Parte di u fabricatore	PMDPB58UPE,115
U fabricatore	Nexperia
Descrizzione	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	PMDPB58UPE,115 PDF

A dispunibilità

In magazinu	86962
Prezzu Unitu	$ 0.45000

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PMDPB58UPE,115 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 P-Channel (Dual)
funzione fet:	Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):	20V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	3.6A
rds on (max) @ id, vgs:	67mOhm @ 2A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	950mV @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	9.5nC @ 4.5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	804pF @ 10V
putenza - max:	515mW
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	6-UDFN Exposed Pad
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	6-HUSON-EP (2x2)

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