EFC6602R-TR

L'imaghjini hè per riferimentu, per piacè cuntattateci per avè a vera stampa

Parte di u fabricatore	EFC6602R-TR
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	EFC6602R-TR PDF

A dispunibilità

In magazinu	130439
Prezzu Unitu	$ 0.23000

EFC6602R-TR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EFC6602R-TR Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
funzione fet:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
drain à a tensione di fonte (vdss):	12V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	18A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 3A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1.3V @ 1mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	55nC @ 4.5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	-
putenza - max:	2W (Ta)
temperatura di funziunamentu:	150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	6-XFBGA, WLCSP
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	6-WLCSP (1.81x2.7)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.