ALD212900APAL

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Parte di u fabricatore	ALD212900APAL
U fabricatore	Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizzione	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	ALD212900APAL PDF

A dispunibilità

In magazinu	3
Prezzu Unitu	$ 6.73000

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ALD212900APAL Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	EPAD®, Zero Threshold™
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
funzione fet:	Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):	10.6V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	80mA
rds on (max) @ id, vgs:	14Ohm
vgs (th) (max) @ id:	10mV @ 20µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	-
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	30pF @ 5V
putenza - max:	500mW
temperatura di funziunamentu:	0°C ~ 70°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	8-DIP (0.300", 7.62mm)
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	8-PDIP

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