ISL9R860S3ST

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Parte di u fabricatore	ISL9R860S3ST
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	diodi - rettificatori - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	ISL9R860S3ST PDF

A dispunibilità

In magazinu	761
Prezzu Unitu	$ 1.26000

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ISL9R860S3ST Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	Stealth™
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu di diodu:	Standard
voltage - DC inversa (vr) (max):	600 V
currente - media rettificata (io):	8A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:	2.4 V @ 8 A
vitezza:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempu di ricuperazione inversa (trr):	30 ns
currente - fuga inversa @ vr:	100 µA @ 600 V
capacità @ vr, f:	-
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-263AB (D²PAK)
temperatura di funziunamentu - junction:	-55°C ~ 175°C

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