VS-ETF150Y65N

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Parte di u fabricatore	VS-ETF150Y65N
U fabricatore	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descrizzione	IGBT MOD 650V 201A 600W
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - igbts - moduli
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	VS-ETF150Y65N PDF

A dispunibilità

In magazinu	8
Prezzu Unitu	$ 68.56000

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VS-ETF150Y65N Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	FRED Pt®
pacchettu:	Box
statutu di parte:	Obsolete
tipu igbt:	NPT
cunfigurazione:	Half Bridge Inverter
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	650 V
current - collector (ic) (max):	201 A
putenza - max:	600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.17V @ 15V, 150A
corrente - cutoff di u cullettore (max):	-
capacità di input (cies) @ vce:	-
input:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di funziunamentu:	175°C (TJ)
tipu di muntatura:	-
pacchettu / casu:	Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	Module

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