FD200R12KE3PHOSA1

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Parte di u fabricatore	FD200R12KE3PHOSA1
U fabricatore	IR (Infineon Technologies)
Descrizzione	IGBT MODULE 1200V 200A
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - igbts - moduli
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	FD200R12KE3PHOSA1 PDF

A dispunibilità

In magazinu	507070
Prezzu Unitu	$ 131.29125

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FD200R12KE3PHOSA1 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tray
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	Trench Field Stop
cunfigurazione:	Single
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	1200 V
current - collector (ic) (max):	200 A
putenza - max:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 200A
corrente - cutoff di u cullettore (max):	5 mA
capacità di input (cies) @ vce:	14 nF @ 25 V
input:	Standard
termistore ntc:	No
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 125°C
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	Module

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