NXH50C120L2C2ESG

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Parte di u fabricatore	NXH50C120L2C2ESG
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - igbts - moduli
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	72408
Prezzu Unitu	$ 59.50000

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NXH50C120L2C2ESG Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	-
cunfigurazione:	Three Phase Inverter with Brake
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	1200 V
current - collector (ic) (max):	50 A
putenza - max:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 50A
corrente - cutoff di u cullettore (max):	250 µA
capacità di input (cies) @ vce:	11.897 nF @ 20 V
input:	Three Phase Bridge Rectifier
termistore ntc:	Yes
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	26-DIP

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