GSID100A120S5C1

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Parte di u fabricatore	GSID100A120S5C1
U fabricatore	SemiQ
Descrizzione	IGBT MOD 1200V 170A 650W
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - igbts - moduli
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	GSID100A120S5C1 PDF

A dispunibilità

In magazinu	50678
Prezzu Unitu	$ 116.83250

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GSID100A120S5C1 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	-
cunfigurazione:	Three Phase Inverter
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	1200 V
current - collector (ic) (max):	170 A
putenza - max:	650 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
corrente - cutoff di u cullettore (max):	1 mA
capacità di input (cies) @ vce:	13.7 nF @ 25 V
input:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	Module

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