A1P50S65M2-F

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Parte di u fabricatore	A1P50S65M2-F
U fabricatore	STMicroelectronics
Descrizzione	IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - igbts - moduli
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	A1P50S65M2-F PDF

A dispunibilità

In magazinu	253360
Prezzu Unitu	$ 39.89000

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A1P50S65M2-F Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tray
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	Trench Field Stop
cunfigurazione:	Three Phase Inverter
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	650 V
current - collector (ic) (max):	50 A
putenza - max:	208 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
corrente - cutoff di u cullettore (max):	100 µA
capacità di input (cies) @ vce:	4.15 nF @ 25 V
input:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	ACEPACK™ 1

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