FD150R12RT4HOSA1

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Parte di u fabricatore	FD150R12RT4HOSA1
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	FD150R12 - IGBT MODULE
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - igbts - moduli
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	FD150R12RT4HOSA1 PDF

A dispunibilità

In magazinu	56275
Prezzu Unitu	$ 43.05000

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FD150R12RT4HOSA1 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	C
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	Trench Field Stop
cunfigurazione:	Single Chopper
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	1.2 V
current - collector (ic) (max):	150 A
putenza - max:	790 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 150A
corrente - cutoff di u cullettore (max):	1 mA
capacità di input (cies) @ vce:	9.3 nF @ 25 V
input:	Standard
termistore ntc:	No
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	Module

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