BFP182WE6327

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Parte di u fabricatore	BFP182WE6327
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolari (bjt) - rf
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	BFP182WE6327 PDF

A dispunibilità

In magazinu	27000
Prezzu Unitu	$ 0.08000

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BFP182WE6327 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu di transistor:	NPN
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	12V
freccia - transizione:	8GHz
figura di rumore (db typ @ f):	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
guadagnà:	22dB
putenza - max:	250mW
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 10mA, 8V
current - collector (ic) (max):	35mA
temperatura di funziunamentu:	150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	SC-82A, SOT-343
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	PG-SOT343-4

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