NJVMJD44H11T4G

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Parte di u fabricatore	NJVMJD44H11T4G
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 80
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolari (bjt) - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NJVMJD44H11T4G PDF

A dispunibilità

In magazinu	2000
Prezzu Unitu	$ 0.34000

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NJVMJD44H11T4G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu di transistor:	NPN
current - collector (ic) (max):	8 A
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	80 V
saturazione vce (max) @ ib, ic:	1V @ 400mA, 8A
corrente - cutoff di u cullettore (max):	1µA
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 2A, 1V
putenza - max:	1.75 W
freccia - transizione:	85MHz
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	DPAK

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