NSVDTA114YM3T5G

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Parte di u fabricatore	NSVDTA114YM3T5G
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NSVDTA114YM3T5G PDF

A dispunibilità

In magazinu	8000
Prezzu Unitu	$ 0.38000

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NSVDTA114YM3T5G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu di transistor:	PNP - Pre-Biased
current - collector (ic) (max):	100 mA
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	50 V
resistenza - basa (r1):	10 kOhms
resistenza - basa di emettitore (r2):	47 kOhms
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
saturazione vce (max) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
corrente - cutoff di u cullettore (max):	100nA (ICBO)
freccia - transizione:	-
putenza - max:	260 mW
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	SOT-723
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	SOT-723

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