PDTD113EQAZ

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Parte di u fabricatore	PDTD113EQAZ
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	PDTD113 - 50V, 500 MA UPN RESIST
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	PDTD113EQAZ PDF

A dispunibilità

In magazinu	65000
Prezzu Unitu	$ 0.03000

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PDTD113EQAZ Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu di transistor:	NPN - Pre-Biased
current - collector (ic) (max):	500 mA
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	50 V
resistenza - basa (r1):	1 kOhms
resistenza - basa di emettitore (r2):	1 kOhms
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	33 @ 50mA, 5V
saturazione vce (max) @ ib, ic:	100mV @ 2.5mA, 50mA
corrente - cutoff di u cullettore (max):	500nA
freccia - transizione:	210 MHz
putenza - max:	325 mW
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	3-XDFN Exposed Pad
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	DFN1010D-3

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